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BCP69-Q系列 PNP中等功率晶体管规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:254.29KB | 2025-02-19

李敏

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PNP中等功率晶体管，采用SOT223 （SC-73） 表面贴装器件（SMD）塑料封装 包。 2. 特点和优势 • 大电流 • • 高功率耗散能力 • 符合 AEC-Q101 标准，推荐用于汽车应用 三种电流增益选择 3. 应用 • • 高侧开关 • 电池驱动设备 • 电源管理 • MOSFET驱动器 •放大 器 线性稳压器 4. 快速参考数据 表 1.快速参考数据 Tamb = 25 °C，除非另有说明。 象征 VCEO技术 集成电路 ICM的 hFE的 参数 集电极-发射极电压 集电极电流 峰值集电极电流 直流电流增益 BCP69-Q型 接线端子BCP69-16-Q 接线端子BCP69-25-Q [1] 脉冲;TP ≤ 300 μs;δ ≤ 0.02 条件 开放基地 单脉冲;TP ≤ 1 毫秒 VCE = -1 V;集成电路 = -150 mA Tamb = 25 °C 单位 V 一个 一个 最小值 - - - 85 100 160 典型值 - - - - - - 麦克斯 -20 -2 -3 375 250 375 [1] [1] [1]
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