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MOSFET讲解-07（可下载）
接下来我们继续研究下面这幅图。
在 t2~t3 期间：放大区
在 t3 之后：饱和区
当饱和之后，Rdson 很小，分压下来，漏极电压就会很低
理论上 Vds 直线下降，但事实上是非线性的。在实际测试波形时， 中间那一段非线性不一定能测得出来。那么，在 t3 时刻之后，Vds 的曲线就如下图所示
接下来讨论 t3 时刻之后，米勒效应就消失，固有转移特性结束
当米勒效应消失，就只有原来的红色这条回路了
实际上米勒电容和电压也有关系，Crss 电容不是一成不变的，与 漏极的电压也有关系，漏极电压越高，效应越明显；漏极电压越低， 效应不明显。这就是为什么高压的管子怕米勒效应，低压的管子不怕， 这都是和漏极电压有关系的。结论：高压系统中的管子，越要注意米 勒效应。理论上讲，t3 时刻之后，Vds 就是 Rdson 两端的压降，待会 儿再讨论这个压降还会受什么因素的影响
我们知道，在米勒平台之后，只有红色这一条回路，Vgs 电压继续 上升，最终充到 12V
对于 MOS 管来说，放大区是危险区域。那么进入饱和区之后，还 要深入去研究 Rdson，也就是说，在饱和区内 Rdson 还会受到 Vgs 电 压幅值的影响。为什么呢？理论上讲，过了平台区就完全饱和了，而 平台区的电压比如说 4.5V，那么 5V 就完全饱和了啊。但事实上，由 于 MOSFET 内在的特性，Rdson 还没达到最小，随着 Vgs 两端电压幅 值的升高，Rdson 还会继续降低。那么，是不是 Vgs 越大越好呢？实 际上，当电压大于 10V 时，Rdson 就变化不那么明显了。所以，一般 我们都用 12V 15V 作为 Vgs 的驱动电压，一般情况下，Vgs 不要超过 ±20V，否则管子会损坏。那么，一般为了降低导通损耗，就需要提高 Vgs，这是因为 P=I^2*Rdson
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