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MOSFET讲解-10（可下载）
我们希望米勒平台的时间短，但是往往容易出现震荡，反而发热更大。另一 方面，如果米勒平台时间短，对于高压管子来说，开通时 dv/dt 大，所包含的谐 波分量就大。
什么是谐波分量呢？任何一个波形都可以用若干个正弦波进行叠加，那么， 我们 MOSFET 由于米勒平台时间短，dv/dt 就很大，就表示开关波形的沿越陡， 棱角越分明。一般我们所说的基波是一个标准的正弦波，dv/dt 产生的开关波形， 可以由这个基波和很多个高次谐波分量的正弦波叠加。如果沿越陡，谐波分量就 越多；如果沿越缓，谐波分量就越少。谐波分量其实是一个辐射源，如果 dv/dt 越缓，那么谐波分量越少，EMC 更加容易通过。
高压管子的平台时间多少合适呢？高频载波的话，米勒平台时间在 300ns~1us，那么 1us 可能发热会大一些，具体要看封装和 Id 电流的大小，如果 最后测试下来，温度能接受，那也是可以的。那么如果 MOSFET 只用于电源上电 和断电时的开关来用，那么这个平台时间长一点也没关系，毕竟是低频的。
对于低压管子来说，由于 GS 电容偏大，所以 Igs 电流要大，栅极电阻要更小， 建议 10R~100R。也就是说，虽然低压的管子 GS 电容大，但是栅极电阻小，米勒 平台的时间也不会太长。
低压管子的平台时间多少合适呢？可以更小一些，90ns~300ns。这些 都是个人的一些看法，不代表权威性，要根据自己的项目各自评估。
关于高压管子和低压管子，具体的米勒平台的时间，还需要看 Vgs 波形 是否震荡为准。
尤其在 MOSFET 用于上下桥互补斩波的时候，可能会出现一些问题。什么是 上下桥互补斩波呢？
上面这幅图就是上下桥互补输出，意思就是上下管不能同时导通，否则就短 路了。上管开通时，下管就要关闭；下管开通时，上管也要关闭，这就是互补输 出的含义。
如果驱动上管的 PWM 信号是 S1，驱动下管的 PWM 信号是 S2。
那么 S1 为低，S2 为高；S1 为高，S2 为低。同时，我们也知道，MOSFET 的 开通和关断都是有延时的，再加上刚刚说的 MOSFET 开通或关断出现震荡，那么， 有可能出现上下互通的情况。一般我们避免这种情况发生，会加一个死区。
可以让开通延时，下降时间不变。这就是我们互补输出方式。
在 GS 波形正常情况下，上面这个电路是没有问题的。但是由于 GD 之间是有 电容的。
假设我们的管子开通快，关断也快。另外，我们前面也讲到过，GD 之间的 米勒电容 Cgd 与漏极电压有关。那么接下来，讨论在死区期间，其中一个管子开
通的一瞬间，对另一个管子 GS 波形的影响。
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