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MOSFET讲解-06（可下载）
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2025-04-17
我们知道了三极管 MOS 管在进入饱和导通之前，必然会经过放大 区。好在三极管经过放大区的时间很短，但是 MOS 管在米勒平台这段 区域的时间会更长，也会更容易损坏。
上面是 Vgs 波形，接下来我们来看 Vds 波形是什么样子的
我们知道当 Vgs 电压达到 Vth 时，MOS 管进入放大导通区 域，而此时 D 端的电位会从原来的 200V 在 t1~t2 期间内会有略微的下降。
同时，我们也知道，在 Vgs 电压达到 Vth 时，Id 开始有电流了
我们通过固有转移特性知道，Vgs 和 Id 成比例变化的，所以在米 勒平台区域 Id 电流也是几乎没有变化，理想情况下，我们就认为它 们是不变的
到了某一时刻（t3），米勒平台效应就会结束。在米勒平 台期间，MOS 管的 DS 内阻 Rdson 在逐渐变小
工作在米勒平台区域，与工作在平台后的区域，管子的功耗问题
工作在米勒平台区域：管子内阻虽然在变小，但是还是很大。由于电 流都是最大，所以功耗大
工作在平台区域之后：由于 Rdson 极小，所以功耗小
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