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MOSFET讲解-08（可下载）
接下来我们讨论一下 Igs 电流。
由于下拉电阻 R2 比栅极驱动电阻 R3 大很多，所以，接下来分析 时忽略掉下拉电阻，这个时候就要看电容了。刚开始充电的是时候， 电容的电压为 0。所以，最开始的充电电流就是 12V/100R=120mA，这 就是 Igs 最开始的充电电流
如果 GS 电容的电充满了，对于 R2 下拉电阻这条电路而言 的电流就是 12V/18K=0.67mA，是一个特别小的电流。通过分析，我 们知道，Igs 电流是和 Vgs 电压是反过来的
上面这张图包含了 MOSFET 相关的一些波形关系，当然也是理想的 波形图。另外，还有朋友在实测时，发现 Vds 电压波形与 Id 的电流 波形是不同相位的，电流滞后于电压，这是由于电流探头精度不高引 起的。电流探头上有一个频率，如果是 Hz 级别的，肯定是不行的， 测不准的。电流能响应的开关频率要高才行，这样的探头要 1 万元左 右，而且是有源电流探头，而价格低的电流探头延时性就很大
虽然当米勒平台区过了之后，Vgs 的电压会继续升高，但是随着 Vgs 的不断升高，Rdson 还是会有变化，只有达到一定的电压了，Rdson 才会达到数据手册上所宣称的阻值。实际上，根据大量的经验，一般我们认为当 Vgs 两端的电压达到 10V 以上时，Rdson 才会达到最小值， 如果再给一个余量的话，建议 Vgs 驱动电压差不多 12V 或 15V，这也 是因为这两个电压经常在电路中用到
我们通过分析知道，MOSFET 的米勒平台区域是最危险的区域。那 么在整个 MOSFET 一个周期内，它的损耗有哪些呢？
t0-t1 时刻，无损耗；
t1-t2 时刻，有损耗，用平均电流 Id/2*Vds；
t2-t3 时刻，有损耗，用平均电压*Id；
t3-饱和导通时刻，有损耗；
饱和导通之后，导通损耗，Rdson*Id^2。
关断波形和开通是接近的，这里就不作分析了
由于 MOSFET 在开通期间，既有电压又有电流，则存在开通损耗； 那么在关断期间，也会有损耗，叫做关断损耗
总结一下，MOSFET 的四大损耗：开通损耗、关断损耗、导通损耗、 续流损耗
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