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MOSFET讲解-05（可下载）
上面是一个正常情况下，电容两端电压的充电波形。但事实上，MOSFET 除 了在 GS 端存在电容之外，它还有 GD 电容，DS 电容。那么，GD 之间的电容， 我们把它称之为米勒电容，实际上米勒电容有一个米勒效应的。 米勒效应，实际上是有一个固有的转移特性。在这个转移特性里面有什么关系 呢？就是：栅极的电压 Vgs 和漏极的电流 Id 保持一个比例关系。
其实，对于 MOSFET 来说，有一个起始开通电压，叫做 Vth
当 MOSFET 达到起始开通电压 Vth 之后，Id 就开始有电流了，但是这个时候， 电流小，然后 Vgs 电压继续上升，Id 也会继续上升，当上升到米勒效应的时候， 就会发生固有转移特性
我们知道了，当 gs 电容的电压达到 Vth 时，Id 有电流的，就表示有通路，那么 栅极的电压就有了另一条通路了
也就是上面这幅图中紫色的这条通路。那么 GS 电容在达到 Vth 之后，会继 续上升，当到达 t2 时刻时，Id 电流就达到最大了，也可以说电流保持不变是吧。 那么，既然漏极的电流保持不变，根据固有转移特性，是不是栅极电压也保持不 变啊（固有转移特性：栅极电压 Vgs 和漏极电流 Id 保持一个比例关系）。
我们把栅极电压不变的这段区域叫做米勒平台区，而且 MOSFET 处于放大状 态。那么会有人有疑问了，既然是达到放大状态，为什么电流能达到最大值呢？ 这和内阻分析法不是有矛盾吗？实际上是没有矛盾的。
我们用三极管来举例:
假设上面这个三极管处于饱和导通状态，放大倍数β=100，当 be 流过 1mA 电流时，Ic 的电流是 100mA。由于三极管处于饱和导通状态，那么 C 极的电位是 0.3V 的饱和压降，那么，根据上面这个电路图来看，如果忽略 CE 压降的话，根 据欧姆定律：Ic=12V/100R=120mA。但实际上三极管所能达到的最大 Ic 电流是 100mA。那么，我们来看看三极管饱和导通时的功耗问题
饱和导通：
Ib=1mA，Ic=100mA
三极管功耗：
b 极功耗：0.7V*1mA
c 极功耗：0.3V*100mA
很明显，三极管在饱和导通时，功耗不大。那么，再来看一下三极管放大状态时 的功耗
由于三极管的射极电压跟随，输出电压是 5V，而左边是 12V（忽略 100R 压 降），那么 CE 压差就是 7V 了。此时三极管处于放大导通状态，而三极管的 be 电流还是 1mA
放大导通：
Ib=1mA Ic=100mA
三极管功耗：
b 极功耗 0.7V*1mA
c 极功耗 7V*100mA
根据上面的分析，三极管放大状态的功耗是饱和状态的 23 倍。三极管在放 大导通状态下，C 极电流是具有 100mA 的输出能力的。但是，一般情况下，我 们都是降额使用，否则会发热损坏掉。所以，三极管工作在放大状态，就特别要 考虑功耗问题
我们再回到之前的 MOSFET 放大状态，对于 MOSFET 来说，它的 Id 电流其实 是受后级负载决定的，不是工程师所能控制的。但是 MOSFET 在开通过程中，必 须要经过这个放大区，只不过这个放大区功耗特别的大，所以就需要这个放大区 的时间就要特别的短。MOSFET 在这个区域特别危险，坏的最多
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