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MOSFET讲解-18（可下载）
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2025-04-22
当 Vds 电压升高时，MOSFET 寄生电容总体呈下降的。当 Vds 电压 越低的时候，MOSFET 寄生电容越来越大，尤其是 Coss 电容。那么， 随着电压的升高，Coss 下降的是最快的，相对来说，Ciss 稍微稳定一 些。这也就是为什么过了平台区之后，管子不怎么震荡了，这也和上 面这幅图表达的含义有关系的
上面这幅图相对来说比较关键。它是 MOSFET 工作的一个安全区 域。MOSFET 选型的合适与否，就要看上面这幅图。之前说的参数其 实是静态的，那么这副图的参数是动态的
在这条线的左下方都是安全工作区域。横坐标是 VDS，纵坐标是 ID。 假设 VDS 是 100V，对应的 ID 电流大概是 1.7A 左右，在实际测试中， 就按照这个表中的数据进行对比，观察是否在 MOSFET 的安全工作区 域内
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