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CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:159 | 2010-05-28

王娟

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摘要：闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应，这种PNPN结构一旦被触发，从电源到地会产生大电流，导致整个芯片的失效。针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题，介绍了闩锁的测试方法，并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程，在对2类保护环(多子环／少子环)作用的分析，以厦各种保护结构的模拟基础之上，通过对比触发电压和电流．得到一种最优的抗Latch—up版图设计方法。通过进一步的流片、测试，解决了芯片中的闩锁失效问题，验证了这种结构的有效性。
关键词：寄生双极型晶体管；保护环；闩锁；CM0S集成电路
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