串行MRAM以40MHz的时钟速度高速运行,没有写延迟。和传统的EEPROM技术不同,MRAM允许无限次擦除。容量为256Kb到1Mb,数据保存时间长达20年以上。低电压保护电路可在掉电时自动保护数据,防止在规定电压范围以外时写入数据。对于必须永久保存、快速恢复重要数据和程序的应用,SPI串行总线接口的MARM存储器是理想的存储器方案。
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