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一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计

消耗积分:0 | 格式:rar | 大小:145 | 2010-08-03

莫好学

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在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析基础上提出了一种高精度，高电源抑制带隙电压基准源。电路运用带隙温度补偿技术,采用共源共栅电流镜,两级运放输出用于自身偏置电路。整个电路采用了UMC 0.6um BiCMOS工艺实现,采用HSPICE进行进行仿真,在TT模型下，仿真结果显示当温度为 －40 ℃～80℃，输出基准电压变化小于1.5mV, 低频电源抑制比达到75dB以上。
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