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CY7C1019B和CY7C10191B高性能CMOS静态RAM的数据手册免费下载

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.19 MB | 2020-02-19

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  CY7C1019B/10191B是一种高性能CMOS静态RAM,8位131072字。通过有源低芯片使能(CE)、有源低输出使能(OE)和三态驱动程序,可以方便地扩展内存。此设备具有自动断电功能,取消选择时可显著降低功耗。对设备的写入是通过使能芯片(CE)和使能写入(WE)低输入来完成的。然后,八个I/O引脚(I/O 0到I/O 7)上的数据被写入地址引脚(A0到A16)上指定的位置。通过将芯片启用(CE)和输出启用(OE)设为低,同时强制写入启用(WE)设为高,完成对设备的读取。在这些情况下,由地址管脚指定的存储器位置的内容将出现在I/O管脚上。当设备被取消选择(CE高)、输出被禁用(OE高)或在写入操作(CE低和WE低)期间,八个输入/输出引脚(I/O0到I/O7)处于高阻抗状态。标准32引脚TSOP II型和400 mil宽SOJ封装中提供了CY7C1019B/10191B。客户订购10 ns tAA的零件时,应使用零件号CY7C10191B,订购12 ns和15 ns tAA的零件时,应使用零件号CY7C1019B。

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