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PW2305 P沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:3.32 MB | 2020-06-29

kuake0618

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  PW2305采用先进的沟道技术,提供优秀的RDS(ON)、低栅极充电和栅极电压低至4.5V的操作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

  特征

  VDS=-20V ID=-4.9A

  RDS(开)《38mΩ@VGS=-4.5V

  提供3针SOT23-3封装

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