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基于CGD15FB45P1Isolated Gate Drivers的参考设计

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:164.42KB | 2021-01-08

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说明

  • CGD15FB45P1，参考设计是用于1200V SiC MOSFET电源模块的六通道栅极驱动器。六个栅极驱动通道中的每个通道均由去饱和电路保护。发生短路时，MOSFET（VDS）两端的电压会升高，直到达到阈值为止，这会导致去饱和电路将所有六个栅极驱动通道驱动至截止状态

主要特色

  • 隔离电压
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