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基于CGD15SG00D2Isolated Gate Drivers的参考设计

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:113.59KB | 2021-01-13

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说明

  • CGD15SG00D2，参考设计将演示为第三代（C3M）碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）量身定制的隔离式栅极驱动器的设计

主要特色

  • 隔离电压
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