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AO3400 N沟道增强型MOSFET的数据手册免费下载
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2021-01-27
h1654156029.1551
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AO3400采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅极充电和低至2.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。
特征
VDS=30V ID=5.8A
RDS（开）《25mΩ@VGS=10V
提供3针SOT23-3封装
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