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bsm180d12p2c101 SIC-DMOS半桥功率模块

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:497KB | 2014-09-22

卢国艺

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bsm180d12p2c101
bsm180d12p2c101半桥功率模块由Rohm SiC的DMOS组成，拥有1200 V的漏源电压和漏电流180 A，最大的总功耗1130 W，具有较长的保质期。
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