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描述
串行flash 存储器W25Q128BV为那些对空间大小，引脚数，功耗有限制的系统提供了一个存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能比一般的串行flash 设备要高。利用串行FLASH 可以实现代码映射到RAM，直接通过DUAL/QUAD SPI方式来执行代码，存储声音，文本，数据。W25Q128BV 供电范围为2.7——3.6V，在激活状态下电流功耗低到4MA，睡眠状态下则降低到1UA。所有的25Q系列都提供节省空间的封装。
W25Q128BV由65536可编程的页组成的，每页有256个字节。一次最多可以写256个字节。可以一次擦除16页（4KB sector erase），128页（32KB block erase），256页（64KB block erase），或者擦除一整片。W25Q128BV 有4096个可擦除的扇区，256可擦除的块。4KB的扇区对于数据和参数存储有更高的灵活性。
W25Q128BV 支持标准SPI 接口，以及更高性能的DUAL/QUAD SPI ，对应的管脚为时钟，片选，（I/O0）DI，（I/O1）DO，I/O2（/WP），I/O3（/HOLD）。SPI时钟可以达到104MHz，在DUAL使用快速读时就相当于208MHz，在QUAD 使用快速读时相当于320MHz。这个传输速率比一般的异步8位，16位并行FLASH 存储器要快。连续读模式访问存储器的效率很高，只要8个时钟的指令开销就可以读24位地址的数据，这样就可以实现XIP。
HOLD，WP管脚，可编程的写保护，可分为顶部，底部，整个存储器。这些提供了更灵活的控制。一般地，W25Q128BV支持JEDEC标准，一个64位的独立串行数字，包含制造商和芯片ID。
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