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用于保护ADS131M0x ADC免受电气过载影响的电路
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2024-09-27
王尚岱
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此电路显示了一种用于保护 ADS131M02、ADS131M03、ADS131M04、ADS131M06 和 ADS131M08 Δ-Σ ADC 免受电气过载 (EOS) 影响的外部解决方案。该保护由外部肖特基二极管和开关二极管实现。本文档说明了肖 特基二极管和开关二极管如何与限流电阻器一起使用，以实现过载信号的外部保护钳位，并将对性能的影响降至 最低，尤其是信噪比 (SNR) 和总谐波失真 (THD)。该电路在以下终端设备中很有用：电池测试、半导体测试、电 表、电能质量分析仪和电源品质测定器。有关保护高压 SAR ADC 免受电气过载影响的信息，请参阅采用 TVS 二极管的高电压 ADC 电路输入保护 和通过 TVS 二极管和 PTC 保险丝保护 ADC 的电路。有关保护低压 SAR ADC 免受电气过载影响的信息，请参阅用于保护低压 SAR ADC 免受电气过载的影响且对性能影响最低的电路。 下图来自电池测试应用中的成本优化型电池测试系统参考设计的数字控制参考设计。在电气过载事件期间，该电 路可能会对 ADS131M08 ADC 的输入施加破坏性电压和电流：放大器（INA821 和 TLV171）产生的电压可以达 到电源电压（+10V 或 –5V），放大器产生的过载电流可以达到各放大器的短路电流。
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