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基于MCP87130下的高速 N 沟道功率 MOSFET
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2018-05-25
杨平
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特性：
• 低漏 - 源导通电阻 （RDS（ON））
• 低栅极总电荷 （QG）和栅 - 漏电荷 （QGD）
• 低串联栅极电阻 （RG）
• 可以进行短暂的死区操作
• 符合 RoHS 标准
应用：
• 负载点直流 / 直流转换器
• 服务器、联网和汽车应用中的高效电源管理
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