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基于MCP87090下的高速 N 沟道功率 MOSFET

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:1.47 MB | 2018-05-25

贾桂林

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　　MCP87090 是采用常见的 PDFN 5 mm x 6 mm 封装和

　　PDFN 3.3 mm x 3.3 mm 封装的 N 沟道功率 MOSFET。

　　MCP87090 利用先进的封装和硅片工艺技术，可以在给

　　定 RDS（ON） 值的情况下实现低 QG，从而获得较低的品

　　质因数（Figure of Merit，FOM）。MCP87090 器件的

　　低 FOM 与低 RG 相结合，可以支持高效率的功率转换，

　　并降低开关损耗和传导损耗。

　　特性：

　　• 低漏 - 源导通电阻 （RDS（ON））

　　• 低栅极总电荷 （QG）和栅 - 漏电荷 （QGD）

　　• 低串联栅极电阻 （RG）

　　• 可以进行短暂的死区操作

　　• 符合 RoHS 标准

　　应用：

　　• 负载点直流 / 直流转换器

　　• 服务器、联网和汽车应用中的高效电源管理

基于MCP87090下的高速 N 沟道功率 MOSFET

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