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Characterization fo Cdv_dt Ind

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:460 | 2010-06-08

王兰

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Synchronousbuckconverter是最流行的拓扑对VRs(voltageregulators).在这种拓扑中,续流Schottky二极管用一个功率MOS来替代.这会使传导LOSS在很大程度上减少,但是也会带来新问题和对器件的要求.一个经常讨论的问题是所谓C*dv/dt导致用作同步整流的开关LOSS.C*dv/dt会导致MOS的开通,在体二极管恢复时.MOS上增长的电压通过D,G间电容会导致一个门极电压产生.感应的电压可能会短时间开通FET.Vds电压和电流的交叠会导致额外的LOSS.C*dv/dt的问题由于牵涉到Vds的斜率(由许多因数决定)而变得复杂,另外也和MOSFET特征(极间电容,内部门极电阻,门槛电压,体二极管特征,封装特征),以及驱动能力,LAYOUT有关.
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