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英飞凌的OpTimoSTM功率MOSFET数据表的详细解读方法资料免费下载
xinbao126
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数据表是电子工程师理解功率MOSFET器件并充分理解其预期功能的最重要的工具。由于数据表提供的信息量很大，因此有时会认为它很复杂，并且很难理解。此外，重要的参数往往会被忽略。这可能导致许多问题，例如，设备故障、PCB重新设计、项目延迟等。该文档提供了关于如何读取和理解具有所有参数和图表的数据表的一般指南。
本应用笔记详细描述英飞凌的OpTimoSTM功率MOSFET数据表。OptiMOSTM是英飞凌的低电压（高达300伏）功率MOSFET产品线的商标。本文档提供了关于每个规范参数的背景信息以及关于每个规范图的说明。它的目的是帮助设计者更好地理解数据表。
数据表中提到的参数和图表提供了MOSFET的完整图像。利用这些信息，设计者应该能够理解设备的预期操作，确定设备的操作极限，并且能够与不同的设备进行定量比较。
本文解释了这些参数之间的相互作用以及温度和栅极电压对这些参数的影响。
数据表可能被认为是难以分析的，因为它的信息量相当大，格式相当紧凑。不是逐行读取数据表，而是建议读者单独查看每个主题。因此，本节清楚地将数据表划分为较小的段，以避免引起读者的混淆。每个子段呈现单个数据表图及其相关参数。注意：该文档使用来自IPP029 N06N数据表Rev2.0的图表和参数作为示例。对于英飞凌OpTimoSTM数据表的最新版本，请参阅我们的OptiMOSTM（20V - 300 V）网页。
数据表中包括的第一个图表是功耗与案例温度的关系图（图1）。在特定的案例温度下，最大允许功耗如图所示。
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