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P沟道 NexFET™ 功率MOSFET CSD25211W1015数据表

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.23MB | 2024-04-07

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　　此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。

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