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60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET CSD18541F5数据表

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.58MB | 2024-03-27

贾桂林

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　　该 54mΩ、60V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在空间受限的工业负载开关应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。

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