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FPGA连接DDR2的问题讨论
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2010-10-07
laisvl
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我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA来连接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM内存条选用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件选用8片MT47H512M8。设计目标：当客户使用内存条时，8片分立器件不焊接；当使用直接贴片分立内存颗粒时，SODIMM内存条不安装。请问专家：
1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
1、在设计中，先用Xilinx MIG工具生成DDR2的Core后，管脚约束文件是否还可更改？若能更改，则必须要满足什么条件下更改？生成的约束文件中，ADDR，data之间是否能调换？ 2、对DDR2数据、地址和控制线路的匹配要注意些什么？通过两只100欧的电阻分别连接到1.8V和GND进行匹配 和 通过一只49.9欧的电阻连接到0.9V进行匹配，哪种匹配方式更好？ 3、V4中，PCB LayOut时，DDR2线路阻抗单端为50欧，差分为100欧？Hyperlynx仿真时，那些参数必须要达到那些指标DDR2-667才能正常工作？ 4、 若使用DDR2-667的SODIMM内存条，能否降速使用？比如降速到DDR2-400或更低频率使用？ 5、板卡上有SODIMM的插座，又有8片内存颗粒，则物理上两部分是连在一起的，若实际使用时，只安装内存条或只安装8片内存颗粒，是否会造成信号完成性的影响？若有影响，如何控制？ 6、SODIMM内存条(max:4GB)能否和8片分立器件(max:4GB)组合同时使用，构成一个(max:8GB)的DDR2单元？若能，则布线阻抗和FPGA的DCI如何控制？地址和控制线的TOP图应该怎样？ 7、DDR2和FPGA（VREF pin）的参考电压0.9V的实际工作电流有多大？工作时候，DDR2芯片是否很烫，一般如何考虑散热？ 8、由于多层板叠层的问题，可能顶层和中间层的铜箔不一样后，中间的夹层后度不一样时，也可能造成阻抗的不同。请教DDR2-667的SODIMM在8层板上的推进叠层？
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评论(2)
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wosicuanq
2015-10-14
0 回复 举报多谢分享多谢分享多谢分享多谢分享多谢分享多谢分享多谢分享 收起回复
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Su_Boy
2015-04-15
0 回复 举报正是我找的资料啊，下载不下来啊！ 收起回复
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