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高压悬浮门驱动IC的应用指南的资料合集免费下载
渣机弈
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本文档的主要内容详细介绍的是高压悬浮门驱动IC的应用指南的资料合集免费下载对于采用功率MOSFET或者IGBT作为高端开关（漏极跟高电压输入线相连，如图1所示）并在全增强（也就是说，两个端子之间有最低的压降）下驱动的门驱动要求可以总结如下：
1. 门极电压必须比漏极高出10V到15V。作为一个高端开关，这样的门电压必定比输入电压高，通常是系统可提供的最高电压。
2. 门极电压一定是通过逻辑信号控制的，而信号本身通常以地为参考。因此必须把逻辑控制电平转换到高端功率器件的源极。在多数情况下，这个电平会在输入和地之间变化。
3. 门极驱动电路所消耗的功率不应该明显地影响整体效率。
有了这些约束之后，目前有几种技术用来实现这个功能，如表格I原理所示那样（见29页）。 每种基本电路可以由各式各样的方法实现。国际整流器公司的MOS门驱动器族（MGD）集成了大部分所要求的功能，将绝大部分用来驱动高压侧和低压侧的MOSFET或IGBT的功能都集成在一个紧凑、高性能封装里。对IRS2110来说，只要提供少数几个元件，就可以达到高速的开关频率，同时损耗很低。如表格II中所示（见30页）。它们可以通过自举或者悬浮电源的方式工作。在这种自举模式下使用，它们能工作于从数十赫兹到几百kHz范围的大多数应用。
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