说明
来自国际整流器的先进的HEXFET功率mosfet采用先进的加工技术,以实现每硅面积极低的导通电阻。这种优点,再加上HEXFET功率mosfet的快速开关速度和坚固的器件设计,为设计者提供了一种非常高效和可靠的器件,可用于各种各样的应用。
TO-220封装是所有商业工业应用的普遍首选,功率消耗水平约为50瓦。TO-220的低热阻和低封装成本有助于其在整个行业中的广泛接受。
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
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