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东芝推出第三代碳化硅MOSFET来提高工业设备效率

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.10 MB | 2023-02-20

王斌

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东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET[1][2]，具 有低导通电阻和大幅降低的开关损耗。10种产品分别为5种1200V和5种650V产品，已经开始发货。 新产品将单位面积的导通电阻(RDS(ON)A)降低了约43%[3]，使代表传导损耗和开关损耗之间关系的重要指标——漏源导通电 阻*栅-漏电荷(RDS(ON)*Qgd)降低了约80%[4]。开关损耗也减少了约20%[5]，因而同时降低了导通电阻和开关损耗。这些新产 品可提高设备效率。
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