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英飞凌IGBT驱动芯片2ED020I12F2去饱和电路设计总结

消耗积分:2 | 格式:pdf | 大小:0.27 MB | 2023-02-23

王萍

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1，驱动芯片框图 2，驱动电路设计   原理： 当IGBT开始导通Vce还没有下降时，恒流源Idesat给Cdesat充电，充电至Vref的时间称之为消隐时间tb，tb=Cdesat*Vref/Idesat ，恒流充放电的常用公式：⊿Vc=I*⊿t/C，设定比较电压Vref，例如9V IGBT正常导通，Cdesat电压还没充到Vref，退饱和尚未触发，由于Vce下降，Idesat流过电阻Rdesa

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