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CGHV40200PP氮化镓高电子迁移率晶体管规格书

消耗积分:1 | 格式:pdf | 大小:0.94 MB | 2023-08-03

陈月言

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Cree 的 CGHV40200PP 是无与伦比的氮化镓 （GaN） 高电子迁移率晶体管（HEMT）。CGHV40200PP，运行采用 50 伏电源轨，提供通用宽带解决方案适用于各种射频和微波应用。氮化镓汞柱提供高效率、高增益和宽带宽能力使CGHV40200PP 是线性和压缩放大器的理想选择电路。该晶体管采用 4 引脚法兰封装。
特征
• 高达 3.0 GHz 的工作频率
• 1.8 GHz 时 21 dB 小信号增益
• 250 W 典型 PSAT
• PSAT 效率为 67%
• 50 V 工作电压
 

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