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NP2302FVR-J-G SOT-23 20V N通道增强模式MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.81 MB | 2023-11-02

深圳市百盛新纪元半导体有限公司
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概述
NP2302FVR-J采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、低栅极电荷和高密度电池的超低电阻设计。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。

一般特征
VDS=20V，ID=2A
RDS(ON)(Typ.)=50mΩ @VGS=4.5V
RDS(ON)(Typ.)=68mΩ @VGS=2.5V
高功率和电流处理能力
无铅产品获得
表面安装包

应用
PWM应用程序的
负载开关

封装
 SOT-23

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