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NCE3415 NCEP通道增强模式电源MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.74 MB | 2023-11-02

民信微电子
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NCE3415 NCEP通道增强模式电源MOSFET

NCE3415采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON）、
低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。
该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。这是ESD抗议。

通用功能

●VDS = -20V，ID =-4A 
RDS（ON）< 36mΩ @ VGS=-4.5V 
RDS（ON）< 49mΩ @ VGS=-2.5V 
ESD额定值： 2500V HBM

●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面安装包

应用程序
●PWM应用程序
●负载交换机

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