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一种低功耗差动CMOS带隙基准源
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2009-09-04
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设计了一种采用0.6μmCMOS工艺的低功耗差动带隙基准电压源电路。在设计中采用
两个pn结串联结构来减小运放失调电压的影响，并采用自偏置共源共栅运放来改善MOS器件对电源的依赖性。这种带隙基准源输出电压为2V，功耗为2.3mW,温度系数可达到13ppm/℃，主要适用于高精度模拟系统，并带有提高电源抑制比电路和启动电路。
关键词: CMOS 低功耗 基准电压源
随着集成电路工艺和设计水平的发展，在模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)等混合信号集成电路设计中,高性能的电压基准源设计已成为关键技术之一。由于电压基准源的温度稳定性以及抗噪声能力是影响A/D、D/A 转换精度的关键因素, 甚至影响到整个系统的精度和性能。因此, 设计一个好的基准电压源具有十分重要的现实意义。电压基准源有基于正向ＶＢＥ的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种。其中,带隙电压基准具有低温度系数、低基准电压、高电源抑制比、长期稳定性并且可与标准CMOS工艺兼容等优点,因而得到广泛的研究应用。
两个pn结串联结构来减小运放失调电压的影响，并采用自偏置共源共栅运放来改善MOS器件对电源的依赖性。这种带隙基准源输出电压为2V，功耗为2.3mW,温度系数可达到13ppm/℃，主要适用于高精度模拟系统，并带有提高电源抑制比电路和启动电路。
关键词: CMOS 低功耗 基准电压源
随着集成电路工艺和设计水平的发展，在模/数转换器(ADC)、数/模转换器(DAC)等混合信号集成电路设计中,高性能的电压基准源设计已成为关键技术之一。由于电压基准源的温度稳定性以及抗噪声能力是影响A/D、D/A 转换精度的关键因素, 甚至影响到整个系统的精度和性能。因此, 设计一个好的基准电压源具有十分重要的现实意义。电压基准源有基于正向ＶＢＥ的电压基准、基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、带隙电压基准等多种。其中,带隙电压基准具有低温度系数、低基准电压、高电源抑制比、长期稳定性并且可与标准CMOS工艺兼容等优点,因而得到广泛的研究应用。
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