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使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半桥驱动器

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.38MB | 2025-01-03

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LMG1210EVM-012旨在评估用于GaN FETs的LMG1210 300 V半桥驱动器。该EVM由两个氮化镓(GaN)场效应晶体管组成,连接成一个由oneLMG1210驱动的半桥配置。本指南显示了电路和材料列表,描述了如何为电路板供电和设置特定的调节电压。EVM板旨在加速LMG1210的评估。该评估板不能用作独立产品,而是用于评估LMG1210的开关性能。

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