资料下载
×
具有集成自举二极管的100V、1.2A 至 5A半桥GaN驱动器LMG1205数据表
消耗积分:0 |
格式:pdf |
大小:1.59MB |
2024-03-28
刘静
分享资料个
LMG1205 设计用于驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高边和低边增强模式氮化镓 (GaN) FET。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高边和低边输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉
评论(0)
发评论
- 相关下载
- 相关文章
