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使用TPS51100用户指南

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:231.99KB | 2024-12-16

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TPS51100EVM评估模块(EVM)包括用于DDRI和DDR内存模块的LDO，以及DDR内存模块所需的终端和参考电压。EVM设计使用1.5至3.4V VDDQ电压和4.75 V至5.25 V控制器内核电源来产生双数据速率(DDR)存储器模块所需的/2 VDDQ端接电压，具有2 A的吸电流/源电流容量。TPS51100旨在为DDR内存模块提供合适的端接电压，涵盖DDRI (2.5 V/1.25 V)和DDR2 (1.8 V/0.9 V)规格，外部元件最少。高速LDO允许使用更少更小的外部电容进行设计，从而降低双倍数据速率存储器电源解决方案的尺寸和成本。TPS51100增加了一个外部调节器来产生存储器模块所需的内核和I/O电压，从而提供了完成DDRl或ddll存储器电源解决方案所需的终端电压和10mA缓冲基准电压。
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