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AP120N04F 120A 40V TO-220F-3L

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.16 MB | 2025-01-10

腾震粤电子
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AP120N04F
40V n沟道增强模式MOSFET

 

AP120N04F采用先进的沟槽技术
提供优良的rds (ON)，低栅极电荷和
栅极电压低至10V。这
该装置适合作为电池保护装置使用
或其它开关应用。
一般特征
V ds = 40v I d = 120a
R DS(ON) < 4.3mΩ @ V GS =10V（类型：3.5mΩ）
应用程序
电池保护
负荷开关
不间断电源

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