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msm51v16160b-elecfans.pdf

消耗积分:2 | 格式:rar | 大小:529 | 2008-08-06

胡秋阳

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MSM51V16160B/BSLは、CMOSプロセス技術を用いた1,048,576ワ－ド×16ビット構成のダイナミックラ
ンダムアクセスメモリです。4層ポリシリコン2層メタルプロセスと、CMOS回路の採用により、高集積
度、高速、低消費電力を実現しました。
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