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PSMN8R9-100BSE N沟道100V,10 mOhm,标准电平MOSFET规格书
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2025-02-14
陈文博
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SuperSOA N 沟道增强型 MOSFET，采用 D2PAK 封装，经认证温度达 175 °C。 PSMN8R9-100BSE 提供低 RDSon 和非常强的线性模式 （SOA） 性能，以及 与最新的“热插拔”控制器相辅相成 - 足够坚固，可承受大量浪涌 导通期间的电流，低 RDSon，可最大限度地降低 I2R 损耗，并在以下情况下提供最佳效率 完全打开。 2. 特点和优势 • Avalanche 等级，100% 测试 • • D2PAK 封装 低导通电阻，实现低 I2R 传导损耗
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