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PSMN1R9-80SSE N沟道80V、1.9 mOhm MOSFET规格书
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2025-02-14
杨火亭
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N 沟道增强型 MOSFET 采用 LFPAK88 封装，符合 175 °C 标准。 部分 Nexperia用于热插拔和软启动的专用MOSFET（ASFET）。这 PSMN1R9-80SSE 提供非常低的 RDSon 和增强的安全工作区域性能，同时 高可靠性铜夹LFPAK88封装。 PSMN1R9-80SSE 补充了最新的“热插拔”控制器 - 足够坚固，可以承受 导通期间的浪涌电流很大，导通时导通率低，可较大限度地降低 I2R 损耗并提供最佳性能 完全打开时的效率。 2. 特点和优势 • • • 完全优化的安全工作区 （SOA），实现卓越的线性模式操作 低导通电阻，实现低 I2R 传导损耗 LFPAK88包适用于需要最高性能和可靠性的应用
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