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PSMN2R9-100SSE N沟道MOSFET规格书
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2025-02-18
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N沟道增强模式MOSFET采用LFPAK88封装，温度等级为175°C。 部分 Nexperia用于热插拔和软启动的专用MOSFET （ASFET）。这 PSMN2R9-100SSE 提供极低的 RDSon 和增强的安全工作区性能 高可靠性铜夹片LFPAK88封装。 PSMN2R9-100SSE 是对最新的“热插拔”控制器的补充 - 足够坚固，可以承受 开启期间具有较大的浪涌电流，低 RDSon，可最大限度地降低 I2R 损耗并提供最佳 完全开启时的效率。 2. 特点和优势 • • • 完全优化的安全工作区 （SOA），实现卓越的线性模式操作 低 RDSon，可实现低 I2R 传导损耗 LFPAK88包适用于需要最高性能和可靠性的应用 3. 应用 负载开关 • 热插拔 • • 软启动 • 电子保险丝 • 基于 48 V 背板/电源轨的电信系统
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