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NGW50T65H3DFP高速沟槽场停止IGBT与全速率硅二极管规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:362.61KB | 2025-02-18

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该NGW50T65H3DFP是一款坚固耐用的绝缘栅双极晶体管 （IGBT），具有第三极 发电技术。它结合了载体存储的沟槽闸门和现场停止 （FS） 结构。这 NGW50T65H3DFP额定温度为175 °C，具有优化的IGBT关断损耗。这款硬开关 650 V、50 A IGBT 针对高压、高频工业电源逆变器应用进行了优化。 2. 特点和优势 低导通和开关损耗 • 集电极电流 （IC） 额定电流为 50 A • • 参数稳定紧凑，便于操作 • 最高结温为 175 °C • • 符合 RoHS 标准的无铅电镀 完全额定为软快速反向恢复二极管 3. 应用 • 电源逆变器 • 不间断电源（UPS）逆变器 • 光伏 （PV） 组串 • 电动汽车充电 感应加热 • •焊接 
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