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NGW75T65H3DF高速沟槽场停止IGBT与全速率硅二极管规格书

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:256.35KB | 2025-02-18

安德森大

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NGW75T65H3DF是一款稳健的绝缘栅双极晶体管(IGBT)第三代技术。它结合了载流子存储的沟槽栅和场截止(FS)结构。NGW75T65H3DF的额定温度为175°C，具有优化的IGBT关断损耗。这款硬开关650 V、75 A IGBT针对高压、高频工业电源逆变器应用进行了优化。
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