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AP8N10MI 永源微8A100V SOT23-3n沟道增强模式MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.29 MB | 2025-06-30

腾震粤电子
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描述
AP8N10MI采用先进的沟槽技术提供优良的rds (ON)，低栅极电荷和工作电压低至4.5V。这该装置适合作为电池保护装置使用或其它开关应用。
一般特征
vds = 100v I d = 8a
R DS(ON) < 100mΩ@ V GS =10V （Type:80mΩ）
应用程序
有照明
负荷开关
PSE

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