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AP3P10MI 永源微100V p沟道增强模式MOSFET

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:2.05 MB | 2025-06-30

腾震粤电子
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描述
AP3P10MI采用先进的沟槽技术提供优良的rds (ON)，低栅极电荷和在低至5V的栅极电压下工作。这装置适合作为电池保护或其他开关应用。
一般特征
vds = -100v I d = -3a
R DS(ON) < 350mΩ @ V GS =-10V
应用程序
电池保护
负荷开关
不间断电源

 

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