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基于24VL014带有半阵列写保护的 1K I2 C串行 EEPROM

消耗积分:3 | 格式:pdf | 大小:0.55 MB | 2018-05-25

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　　特性：

　　• 单电源供电，工作电压低至 1.5V

　　• 低功耗 CMOS 技术：

　　- 400 μA 工作电流 （最大值）

　　- 1 μA 待机电流 （最大值）

　　• 2 线串行接口总线，与 I

　　2C™ 兼容

　　• 施密特触发器输入，可抑制噪声

　　• 输出斜率控制，可消除地弹

　　• 兼容 100 kHz 和 400 kHz

　　• 页写缓冲区最大为 16 字节

　　• 自定时写周期 （包括自动擦除）

　　• 可对半个阵列 （40h-7Fh）进行硬件写保护

　　• 最多可级联 8 个器件

　　• 擦除 / 写次数高于 1 百万次

　　• ESD 保护 》 4，000V

　　• 数据保持时间 》 200 年

　　• 提供工厂编程 （QTP）服务

　　• 8引脚PDIP、SOIC、TSSOP、TDFN和MSOP封装

　　• 温度范围：

　　• 无铅，符合 RoHS 规定

基于24VL014带有半阵列写保护的 1K I2 C串行 EEPROM

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