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DRT MC SOI LIGBT器件新结构的可实现性初探

消耗积分:3 | 格式:rar | 大小:283 | 2010-02-22

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DRT MC SOI LIGBT器件新结构的可实现性初探

本文在介绍了减薄漂移区多沟道SOI LIGBT结构雏形之后，首先初步探讨了这种器件的先进VLSI工艺可实现性；然后比较深入讨论了减薄漂移区的工艺可实现性和与漂移区厚度相关的漂移区新结构可实现性；接着指出了这种器件雏形结构存在的几个主要问题，有针对性的分析了改进措施，并提出了同心圆环源漏互包SOI LIGBT新结构。

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