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CGH09120F GaN高电子迁移率晶体管的详细数据手册免费下载

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.71 MB | 2018-08-14

xyd00

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　　CRE的CGH09120是一种氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高效率、高增益和宽带能力，这使得CGH09120理想的MC-GSM，WCDMA和LTE放大器应用。晶体管提供在陶瓷/金属法兰封装中。

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