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PC318C016M/D 200V半桥栅极驱动器技术手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:0.77 MB | 2025-12-05

pc16211

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PC318C016M / D是一款高性能高电压 半桥栅极驱动器， 设计用于驱动采用同步降压 或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET。 该器件内置VDD欠压锁定功能，集成使能关断 功能，同时还可以通过外部电阻调节死区时间。
PC318C016M/ D 提供MSOP10 3mm*3mm 和DFN10 4mm*4mm 两种封装形式

特性 
 可驱动高侧和低测N沟道MOSFET  HS悬浮电压高达200V  峰值输出电流高达1.2/1.8A  VDD电源电压范围 5V-20V  VDD欠压保护（UVLO）  死区时间外部可调  具备使能关断功能  优异的传输延迟匹配  AEC-Q100 汽车级产品认证

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