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改善查看周期:调试DDR和DDR2系统中的间歇性存储器问题应
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2010-07-28
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引言
为什么有些工程团队可以相对容易地检验和调试间歇性存储器问题，而有些团队则会非常费力呢？在试图确定间歇性存储器问题的根本原因时，怎样才能保证不会浪费宝贵的时间呢？
存储器问题的典型原因包括定时关系达到边界、违反协议、时钟完整性问题、信号完整性问题、其它总线的错误、BIOS对片内端接(ODT)的设置不正确、Cas时延无效等等。怎样确定哪一个才是导致设计问题的真正原因呢？
本应用指南概括介绍了调试方法，介绍了多种工具和技术。在DDR和DDR2系统(包括全面缓冲的DIMM的SDRAM一侧)中调试存储器问题时，您可以利用这些工具和技术，不但节约时间，而且能帮助您更好地了解系统性能。
为什么有些工程团队可以相对容易地检验和调试间歇性存储器问题，而有些团队则会非常费力呢？在试图确定间歇性存储器问题的根本原因时，怎样才能保证不会浪费宝贵的时间呢？
存储器问题的典型原因包括定时关系达到边界、违反协议、时钟完整性问题、信号完整性问题、其它总线的错误、BIOS对片内端接(ODT)的设置不正确、Cas时延无效等等。怎样确定哪一个才是导致设计问题的真正原因呢？
本应用指南概括介绍了调试方法，介绍了多种工具和技术。在DDR和DDR2系统(包括全面缓冲的DIMM的SDRAM一侧)中调试存储器问题时，您可以利用这些工具和技术，不但节约时间，而且能帮助您更好地了解系统性能。
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